NTMFS5H600NLT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 1100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.15 EUR |
| 500+ | 3.9 EUR |
| 1000+ | 3.62 EUR |
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Technische Details NTMFS5H600NLT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 1100 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 160W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.
Weitere Produktangebote NTMFS5H600NLT1G nach Preis ab 3.03 EUR bis 9.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NTMFS5H600NLT1G | onsemi |
MOSFETs T8 60V LOW COSS |
auf Bestellung 3043 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS5H600NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 1100 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 160W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
auf Bestellung 1684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS5H600NLT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs T8 60V LOW COSS
MOSFETs T8 60V LOW COSS
auf Bestellung 3043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.57 EUR |
| 10+ | 5.59 EUR |
| 100+ | 4.19 EUR |
| 500+ | 3.52 EUR |
| 1000+ | 3.27 EUR |
| 1500+ | 3.03 EUR |
| NTMFS5H600NLT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 1100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 1100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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auf Bestellung 1684 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 26+ | 9.9 EUR |
| 39+ | 6.03 EUR |
| 100+ | 4.15 EUR |
| 500+ | 3.9 EUR |
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