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NTMFS5H610NLT1G

NTMFS5H610NLT1G ON Semiconductor

ntmfs5h610nl-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R
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Technische Details NTMFS5H610NLT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 30 V.

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NTMFS5H610NLT1G NTMFS5H610NLT1G Hersteller : onsemi ntmfs5h610nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 30 V
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 30 V
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NTMFS5H610NLT1G Hersteller : ONSEMI ntmfs5h610nl-d.pdf NTMFS5H610NLT1G SMD N channel transistors
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