NTMFS6H801NT1G ON Semiconductor
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Technische Details NTMFS6H801NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 157A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 166W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.
Weitere Produktangebote NTMFS6H801NT1G nach Preis ab 1.36 EUR bis 7.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NTMFS6H801NT1G | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS6H801NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS6H801NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS6H801NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS6H801NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 157A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 166W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS6H801NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V |
auf Bestellung 6462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS6H801NT1G | onsemi |
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET |
auf Bestellung 2310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS6H801NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 157A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 166W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS6H801NT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.59 EUR |
| NTMFS6H801NT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.93 EUR |
| 3000+ | 1.89 EUR |
| NTMFS6H801NT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 2.52 EUR |
| 84+ | 2.05 EUR |
| 85+ | 1.95 EUR |
| 100+ | 1.62 EUR |
| 250+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.44 EUR |
| 1000+ | 1.36 EUR |
| NTMFS6H801NT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 71+ | 2.52 EUR |
| 84+ | 2.09 EUR |
| 85+ | 2.02 EUR |
| 100+ | 1.7 EUR |
| 250+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.61 EUR |
| 1000+ | 1.55 EUR |
| NTMFS6H801NT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.02 EUR |
| NTMFS6H801NT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
auf Bestellung 6462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.97 EUR |
| 10+ | 3.88 EUR |
| 100+ | 2.69 EUR |
| 500+ | 2.18 EUR |
| NTMFS6H801NT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.66 EUR |
| 10+ | 4.33 EUR |
| 100+ | 3.03 EUR |
| 500+ | 2.53 EUR |
| 1000+ | 2.37 EUR |
| 1500+ | 2.23 EUR |
| NTMFS6H801NT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.75 EUR |
| 55+ | 4.22 EUR |
| 100+ | 3.02 EUR |