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NTMFS6H801NT1G

NTMFS6H801NT1G ON Semiconductor

ntmfs6h801n-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
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Technische Details NTMFS6H801NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 157A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NTMFS6H801NT1G nach Preis ab 1.33 EUR bis 5.97 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G ON Semiconductor ntmfs6h801n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G onsemi ntmfs6h801n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.93 EUR
3000+1.89 EUR
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NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G ON Semiconductor ntmfs6h801n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
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84+2 EUR
85+1.9 EUR
100+1.57 EUR
250+1.5 EUR
500+1.42 EUR
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auf Bestellung 1500 Stücke:
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71+2.46 EUR
84+2.05 EUR
85+1.98 EUR
100+1.67 EUR
250+1.62 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G ONSEMI 2571960.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 559 Stücke:
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500+2.38 EUR
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NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G onsemi NTMFS6H801N_D-2319319.pdf MOSFETs TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
auf Bestellung 8288 Stücke:
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1+3.36 EUR
10+3 EUR
100+2.51 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.07 EUR
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NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G ONSEMI 2571960.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100+2.68 EUR
500+2.38 EUR
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NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G onsemi ntmfs6h801n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6462 Stücke:
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10+3.88 EUR
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500+2.18 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+2.46 EUR
84+2 EUR
85+1.9 EUR
100+1.57 EUR
250+1.5 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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auf Bestellung 1500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
71+2.46 EUR
84+2.05 EUR
85+1.98 EUR
100+1.67 EUR
250+1.62 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.51 EUR
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NTMFS6H801NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 559 Stücke:
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100+2.68 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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100+2.51 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.07 EUR
1500+1.92 EUR
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NTMFS6H801NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.47 EUR
60+3.88 EUR
100+2.68 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NTMFS6H801NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.97 EUR
10+3.88 EUR
100+2.69 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH