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NTMFSC004N08MC

NTMFSC004N08MC ON Semiconductor

ntmfsc004n08mc-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFN EP T/R
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Technische Details NTMFSC004N08MC ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFSC004N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 136A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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NTMFSC004N08MC NTMFSC004N08MC Hersteller : ON Semiconductor ntmfsc004n08mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFN EP T/R
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NTMFSC004N08MC NTMFSC004N08MC Hersteller : onsemi NTMFSC004N08MC-D.PDF MOSFETs N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 80V, ___A, 4.0mohm
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NTMFSC004N08MC NTMFSC004N08MC Hersteller : onsemi ntmfsc004n08mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 86A/136A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 40 V
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NTMFSC004N08MC NTMFSC004N08MC Hersteller : ONSEMI 3005753.pdf Description: ONSEMI - NTMFSC004N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NTMFSC004N08MC NTMFSC004N08MC Hersteller : ONSEMI 3005753.pdf Description: ONSEMI - NTMFSC004N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NTMFSC004N08MC NTMFSC004N08MC Hersteller : onsemi ntmfsc004n08mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 86A/136A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Ta), 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 40 V
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NTMFSC004N08MC Hersteller : ONSEMI ntmfsc004n08mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 136A; Idm: 487A; 127W; DFN8
Case: DFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43.4nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 127W
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 487A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
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