| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.38 EUR |
| 10+ | 11.13 EUR |
| 100+ | 9.13 EUR |
| 500+ | 7.77 EUR |
| 1000+ | 6.56 EUR |
| 3000+ | 6.43 EUR |
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Technische Details NTMJS1D0N04CTWG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 300A, On-state resistance: 920µΩ, Pulsed drain current: 900A, Power dissipation: 83W, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 86nC, Kind of channel: enhancement, Case: LFPAK8, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape.
Weitere Produktangebote NTMJS1D0N04CTWG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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NTMJS1D0N04CTWG | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NTMJS1D0N04CTWG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMJS1D0N04CTWG | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 300A On-state resistance: 920µΩ Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 83W Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 86nC Kind of channel: enhancement Case: LFPAK8 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMJS1D0N04CTWG |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
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| NTMJS1D0N04CTWG |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
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| NTMJS1D0N04CTWG |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
On-state resistance: 920µΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
On-state resistance: 920µΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
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