
NTMTS6D0N15MC onsemi

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4815 pF @ 75 V
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Anzahl | Preis |
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3000+ | 4.69 EUR |
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Technische Details NTMTS6D0N15MC onsemi
Description: ONSEMI - NTMTS6D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 135 A, 0.0046 ohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 245W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTMTS6D0N15MC nach Preis ab 4.69 EUR bis 11.42 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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NTMTS6D0N15MC | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 69A, 10V Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4815 pF @ 75 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMTS6D0N15MC | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: DFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMTS6D0N15MC | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 245W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: DFNW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMTS6D0N15MC | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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