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NTMYS7D3N04CLTWG

NTMYS7D3N04CLTWG onsemi

ntmys7d3n04cl-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
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Technische Details NTMYS7D3N04CLTWG onsemi

Description: ONSEMI - NTMYS7D3N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 7300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 38W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 38W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTMYS7D3N04CLTWG NTMYS7D3N04CLTWG onsemi ntmys7d3n04cl-d.pdf MOSFETs 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel
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NTMYS7D3N04CLTWG NTMYS7D3N04CLTWG ONSEMI 2850033.pdf Description: ONSEMI - NTMYS7D3N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 7300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 52A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
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110+2.12 EUR
124+1.74 EUR
500+1.27 EUR
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NTMYS7D3N04CLTWG NTMYS7D3N04CLTWG ONSEMI 2850033.pdf Description: ONSEMI - NTMYS7D3N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 7300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
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Description: ONSEMI - NTMYS7D3N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 7300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Description: ONSEMI - NTMYS7D3N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 7300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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