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Technische Details NTNS0K8N021ZTCG onsemi
Description: ONSEMI - NTNS0K8N021ZTCG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 220 mA, 0.8 ohm, XDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: XDFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTNS0K8N021ZTCG nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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NTNS0K8N021ZTCG | Hersteller : onsemi |
 MOSFET T1 XDFN3L 0.62X0.42 MM |
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NTNS0K8N021ZTCG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 220MA 3XDFN |
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NTNS0K8N021ZTCG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTNS0K8N021ZTCG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 220 mA, 0.8 ohm, XDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: XDFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 4790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTNS0K8N021ZTCG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTNS0K8N021ZTCG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 220 mA, 0.8 ohm, XDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: XDFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 4790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTNS0K8N021ZTCG | Hersteller : ON Semiconductor |
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