Produkte > ONSEMI > NTNS2K1P021ZTCG
NTNS2K1P021ZTCG

NTNS2K1P021ZTCG onsemi

ntns2k1p021z-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 3-XDFN (0.42x0.62)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
auf Bestellung 2323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+1.21 EUR
21+1.04 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTNS2K1P021ZTCG onsemi

Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 127mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125mW, Bauform - Transistor: XDFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote NTNS2K1P021ZTCG nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTNS2K1P021ZTCG NTNS2K1P021ZTCG onsemi NTNS2K1P021Z_D-1878741.pdf MOSFET T1 XDFN3L 0.62X0.42 MM
auf Bestellung 6926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+1.07 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS2K1P021ZTCG NTNS2K1P021ZTCG ONSEMI 3005755.pdf Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+1.25 EUR
243+0.95 EUR
368+0.58 EUR
646+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS2K1P021ZTCG NTNS2K1P021ZTCG ONSEMI 3005755.pdf Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+1.25 EUR
243+0.95 EUR
368+0.58 EUR
646+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS2K1P021ZTCG NTNS2K1P021Z_D-1878741.pdf
NTNS2K1P021ZTCG
Hersteller: onsemi
MOSFET T1 XDFN3L 0.62X0.42 MM
auf Bestellung 6926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.24 EUR
10+1.07 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS2K1P021ZTCG 3005755.pdf
NTNS2K1P021ZTCG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+1.25 EUR
243+0.95 EUR
368+0.58 EUR
646+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTNS2K1P021ZTCG 3005755.pdf
NTNS2K1P021ZTCG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: XDFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+1.25 EUR
243+0.95 EUR
368+0.58 EUR
646+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH