NTNS3164NZT5G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 361mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details NTNS3164NZT5G onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 361mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 155mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V.
Weitere Produktangebote NTNS3164NZT5G nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTNS3164NZT5G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 361mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 155mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V |
auf Bestellung 121433 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTNS3164NZT5G | Hersteller : onsemi |
MOSFET NFET SOT883 20V 245MA 1.5 |
auf Bestellung 95007 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NTNS3164NZT5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTNS3164NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 361 mA, 0.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 361 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 155 Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTNS3164NZT5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTNS3164NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 361 mA, 0.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTNS3164NZT5G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4928 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NTNS3164NZT5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.361A 3-Pin XDFN T/R |
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