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NTP190N65S3HF

NTP190N65S3HF ON Semiconductor

ntp190n65s3hf-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details NTP190N65S3HF ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTP190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 162W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTP190N65S3HF NTP190N65S3HF onsemi ntp190n65s3hf-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET 190M
auf Bestellung 424 Stücke:
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1+9.82 EUR
10+5.15 EUR
100+4.57 EUR
500+3.89 EUR
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NTP190N65S3HF NTP190N65S3HF onsemi ntp190n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
auf Bestellung 564 Stücke:
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3+10.01 EUR
50+5.24 EUR
100+4.78 EUR
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NTP190N65S3HF NTP190N65S3HF ONSEMI 2785843.pdf Description: ONSEMI - NTP190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1491 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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NTP190N65S3HF ON Semiconductor ntp190n65s3hf-d.pdf
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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