NTP5D0N15MC ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details NTP5D0N15MC ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTP5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 5000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 139A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTP5D0N15MC nach Preis ab 3.68 EUR bis 7.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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NTP5D0N15MC | Hersteller : onsemi |
 MOSFETs MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A |
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NTP5D0N15MC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 15A/139A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 139A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 97A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 532µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 75 V |
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NTP5D0N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP5D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 5000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 139A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTP5D0N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTP5D0N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTP5D0N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTP5D0N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 139A; Idm: 818A; 214W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 139A Pulsed drain current: 818A Power dissipation: 214W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| NTP5D0N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 139A; Idm: 818A; 214W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 139A Pulsed drain current: 818A Power dissipation: 214W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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