NTPF250N65S3H onsemi
Hersteller: onsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 13 A, 250 mohm, TO220F
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 6.23 EUR |
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| 500+ | 2.76 EUR |
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Technische Details NTPF250N65S3H onsemi
Description: ONSEMI - NTPF250N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTPF250N65S3H nach Preis ab 3.47 EUR bis 7.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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NTPF250N65S3H | Hersteller : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.1mA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 400 V |
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NTPF250N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTPF250N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTPF250N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 13A Tube |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTPF250N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 36A; 29W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 24nC Pulsed drain current: 36A |
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