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NTPF360N80S3Z

NTPF360N80S3Z ON Semiconductor

ntpf360n80s3z-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details NTPF360N80S3Z ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V.

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NTPF360N80S3Z NTPF360N80S3Z Hersteller : ON Semiconductor ntpf360n80s3z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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NTPF360N80S3Z NTPF360N80S3Z Hersteller : onsemi NTPF360N80S3Z_D-2319409.pdf MOSFETs SF3 800V 360MOHM, TO-220F
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V
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NTPF360N80S3Z Hersteller : ONSEMI ntpf360n80s3z-d.pdf NTPF360N80S3Z THT N channel transistors
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