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NTR3A30PZT1G

NTR3A30PZT1G onsemi

NTR3A30PZ_D-2319262.pdf Hersteller: onsemi
MOSFET PFET SOT23 20V 2.9A 38MOH
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Technische Details NTR3A30PZT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTR3A30PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 480mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTR3A30PZT1G NTR3A30PZT1G Hersteller : ONSEMI ntr3a30pz-d.pdf Description: ONSEMI - NTR3A30PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
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NTR3A30PZT1G NTR3A30PZT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr3a30pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
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NTR3A30PZT1G NTR3A30PZT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr3a30pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
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