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NTR4003NT1G

ntr4003n-d.pdf
Produktcode: 167522
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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NTR4003NT1G NTR4003NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr4003n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G Hersteller : onsemi ntr4003n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A3582F9A20745&compId=NTR4003N.PDF?ci_sign=b3216589411edabf78a677fe51c768f1946900ff Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.56A; 0.69W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.15nC
Drain current: 0.56A
Power dissipation: 0.69W
On-state resistance: 2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868A3582F9A20745&compId=NTR4003N.PDF?ci_sign=b3216589411edabf78a677fe51c768f1946900ff Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.56A; 0.69W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.15nC
Drain current: 0.56A
Power dissipation: 0.69W
On-state resistance: 2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr4003n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G Hersteller : onsemi ntr4003n-d.pdf MOSFETs NFET 30V .56A 1500M
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr4003n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G Hersteller : onsemi ntr4003n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G Hersteller : ONSEMI 2255288.pdf Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G Hersteller : ONSEMI 2255288.pdf Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr4003n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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1uF 6,3V 10% X5R 0402 (CL05A105KQ5NNNC)
Produktcode: 73177
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1uF 6,3V 10% X5R 0402 (CL05A105KQ5NNNC)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0402
Номінал: 1 µF
Nennspannung: 6,3 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0402
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NCP18XH103F03RB
Produktcode: 63061
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pdfdownloadapi?cate=luNTCforTempeSenso&partno=NCP18XH103F03RB
NCP18XH103F03RB
Hersteller: Murata
Passive Bauelemente > Thermistoren
Beschreibung: NTC Thermistor, 10 kOhm, ±1%
Nennwert: 10 kOhm
Застосування: Вимірювальні
Струм,макс.: 0.031A
Тип: NTC
Розмір: 0603
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2,2uF 100V X7R 10% 1206 (12061C225KAT2A-AVX) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 54671
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2,2uF 100V X7R 10% 1206 (12061C225KAT2A-AVX) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: AVX
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 2,2uF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
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10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Produktcode: 52241
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
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