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NTR4003NT1G

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Transistoren > MOSFET N-CH

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NTR4003NT1G NTR4003NT1G ON Semiconductor ntr4003n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G ON Semiconductor ntr4003n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G ON Semiconductor ntr4003n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G ONSEMI NTR4003N.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 0.83W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G On Semiconductor ntr4003n-d.pdf MOSFET, N-Channel , SOT-23-3 Транзистори
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G ON Semiconductor ntr4003n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G onsemi ntr4003n-d.pdf MOSFETs NFET 30V .56A 1500M
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G ON Semiconductor ntr4003n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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1518+0.1 EUR
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G onsemi ntr4003n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G ONSEMI 2255288.pdf Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
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NTR4003NT1G NTR4003NT1G ONSEMI 2255288.pdf Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
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NTR4003NT1G ON Semiconductor NTR4003N-D.PDF N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 500 мА, Ptot, Вт = 0,69, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 21 @ 5, Qg, нКл = 1,15 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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NTR4003NT1G ntr4003n-d.pdf
NTR4003NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4003NT1G ntr4003n-d.pdf
NTR4003NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4003NT1G ntr4003n-d.pdf
NTR4003NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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1613+0.1 EUR
3000+0.077 EUR
6000+0.052 EUR
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NTR4003NT1G NTR4003N.PDF
NTR4003NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 0.83W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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1500+0.071 EUR
3000+0.063 EUR
6000+0.056 EUR
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NTR4003NT1G
Hersteller: On Semiconductor
MOSFET, N-Channel , SOT-23-3 Транзистори
auf Bestellung 80 Stücke:
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NTR4003NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9765 Stücke:
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NTR4003NT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET 30V .56A 1500M
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NTR4003NT1G ntr4003n-d.pdf
NTR4003NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 101005 Stücke:
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983+0.17 EUR
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NTR4003NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
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NTR4003NT1G 2255288.pdf
NTR4003NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
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Mindestbestellmenge: 379 Stücke
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NTR4003NT1G 2255288.pdf
NTR4003NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
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NTR4003NT1G NTR4003N-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 500 мА, Ptot, Вт = 0,69, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 21 @ 5, Qg, нКл = 1,15 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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MX-503398-1892
Produktcode: 89065
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Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen für Cards (SIM, microSIM, SD, microSD, Smart)
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51021-0400
Produktcode: 77720
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51021-0400
Hersteller: Molex
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakte: 4; Raster: 1.25 mm
Stecker/Buchse: Buchse
Anzahl Kontakte: 4
Kontaktabstand: 1,25 мм
Montage: Kabelmontage
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet 28.07.2026
AnzahlPrivatkunde
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10+0.3 EUR
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4,7 kOhm 5% 1/16W 50V 0402 (RC0402JR-074K7L-Yageo)
Produktcode: 72180
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4,7 kOhm 5% 1/16W 50V 0402 (RC0402JR-074K7L-Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0402
Nennwert: 4,7 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn.,W: 1/16 W
U Betriebs.,V: 50 V
Größe Typ: 0402
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1000+0.0019 EUR
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2,2uF 100V X7R 10% 1210 (CL32B225KCJSNNE-Samsung)
Produktcode: 56204
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2,2uF 100V X7R 10% 1210 (CL32B225KCJSNNE-Samsung)
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1210
Kapazität: 2,2 µF
Nennspannung: 100 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 1210
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
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4,7uF 6,3V X5R 10% 0603 (CL10A475KQ8NNNC-Samsung)
Produktcode: 50674
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
4,7uF 6,3V X5R 10% 0603 (CL10A475KQ8NNNC-Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 4,7 µF
Nennspannung: 6,3 V
Dielektrikum: X5R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 7860 St.
  • 7860 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.051 EUR
100+0.039 EUR
1000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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