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NTR4503NT1G

NTR4503NT1G UMW

bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23
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Technische Details NTR4503NT1G UMW

Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, Verlustleistung: 730mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTR4503NT1G NTR4503NT1G ON Semiconductor ntr4503n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4503NT1G NTR4503NT1G ON Semiconductor ntr4503n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4503NT1G NTR4503NT1G ON Semiconductor ntr4503n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR4503NT1G NTR4503NT1G UMW bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23
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40+0.52 EUR
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NTR4503NT1G NTR4503NT1G onsemi ntr4503n-d.pdf bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf MOSFETs 30V 2.5A N-Channel
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NTR4503NT1G NTR4503NT1G onsemi ntr4503n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
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31+0.68 EUR
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500+0.32 EUR
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NTR4503NT1G NTR4503NT1G ONSEMI 2353873.pdf Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13065 Stücke:
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184+1.37 EUR
298+0.79 EUR
468+0.46 EUR
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NTR4503NT1G NTR4503NT1G ONSEMI ntr4503n-d.pdf bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
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NTR4503NT1G NTR4503NT1G ONSEMI ntr4503n-d.pdf bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.73W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
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NTR4503NT1G ON-Semiconductor ntr4503n-d.pdf bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 2A; 730mW; -55°C ~ 150°C; NTR4503NT3G (10000/reel) NTR4503NT1G TNTR4503n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NTR4503NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NTR4503NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3013+0.23 EUR
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NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf
NTR4503NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3013+0.23 EUR
10000+0.19 EUR
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NTR4503NT1G bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf
NTR4503NT1G
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+0.86 EUR
40+0.52 EUR
56+0.38 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
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NTR4503NT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V 2.5A N-Channel
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10+0.48 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
3000+0.21 EUR
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NTR4503NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
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50+0.49 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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NTR4503NT1G 2353873.pdf
NTR4503NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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184+1.37 EUR
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622+0.35 EUR
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
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NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf
NTR4503NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 9092 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
169+1.49 EUR
355+0.65 EUR
407+0.52 EUR
541+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf
NTR4503NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.73W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
auf Bestellung 5918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR4503NT1G ntr4503n-d.pdf bbc818abbfc37871f1e203e6a33d7762.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 2A; 730mW; -55°C ~ 150°C; NTR4503NT3G (10000/reel) NTR4503NT1G TNTR4503n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
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200+0.33 EUR
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