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NTR5103NT1G

NTR5103NT1G ON Semiconductor

ntr5103n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details NTR5103NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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NTR5103NT1G NTR5103NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr5103n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr5103n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G Hersteller : onsemi ntr5103n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr5103n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G Hersteller : ONSEMI NTR5103N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.42W; SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.81nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2882 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.20 EUR
538+0.13 EUR
810+0.09 EUR
969+0.07 EUR
1731+0.04 EUR
1832+0.04 EUR
1887+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G Hersteller : ONSEMI NTR5103N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.42W; SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.81nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: SOT23
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G Hersteller : onsemi ntr5103n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
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97+0.18 EUR
215+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G Hersteller : onsemi ntr5103n-d.pdf MOSFETs NFET SOT23 60V 310MA 2.5
auf Bestellung 108321 Stücke:
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Anzahl Preis
10+0.29 EUR
16+0.18 EUR
100+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.05 EUR
9000+0.04 EUR
24000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013300264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 29422 Stücke:
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013300264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 29422 Stücke:
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr5103n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
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NTR5103NT1G Hersteller : ONS ntr5103n-d.pdf Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,31А; 0,42Вт; SOT23
auf Bestellung 16 Stücke:
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr5103n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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