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NTR5103NT1G

NTR5103NT1G ON Semiconductor

ntr5103n-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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Technische Details NTR5103NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTR5103NT1G NTR5103NT1G ON Semiconductor ntr5103n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G ON Semiconductor ntr5103n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 4049 Stücke
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G ON Semiconductor ntr5103n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 14085 Stücke
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G onsemi ntr5103n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.055 EUR
6000+0.052 EUR
9000+0.049 EUR
15000+0.048 EUR
21000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G ON Semiconductor ntr5103n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3004+0.058 EUR
9000+0.055 EUR
27000+0.052 EUR
51000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3004 Stücke
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G ON Semiconductor ntr5103n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 29422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1124+0.23 EUR
1493+0.15 EUR
2174+0.099 EUR
2440+0.088 EUR
2500+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 1124 Stücke
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 29422 Stücke:
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1493+0.15 EUR
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G onsemi ntr5103n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 50099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
97+0.21 EUR
215+0.098 EUR
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NTR5103NT1G NTR5103NT1G onsemi ntr5103n-d.pdf MOSFETs NFET SOT23 60V 310MA 2.5
auf Bestellung 108321 Stücke:
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10+0.35 EUR
16+0.21 EUR
100+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.055 EUR
9000+0.048 EUR
24000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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NTR5103NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4049+0.043 EUR
24000+0.031 EUR
45000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4049 Stücke
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NTR5103NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 210060 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
14085+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 14085 Stücke
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NTR5103NT1G ntr5103n-d.pdf
NTR5103NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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6000+0.052 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
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9000+0.055 EUR
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NTR5103NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
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NTR5103NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2500+0.086 EUR
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NTR5103NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR5103NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2500+0.086 EUR
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NTR5103NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 50099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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63+0.33 EUR
97+0.21 EUR
215+0.098 EUR
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Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET SOT23 60V 310MA 2.5
auf Bestellung 108321 Stücke:
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100+0.096 EUR
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3000+0.055 EUR
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24000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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