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NTR5105PT1G

NTR5105PT1G ON Semiconductor

ntr5105p-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.084 EUR
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Technische Details NTR5105PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 196mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 347mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTR5105PT1G NTR5105PT1G onsemi ntr5105p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.088 EUR
6000+0.079 EUR
9000+0.074 EUR
15000+0.069 EUR
21000+0.065 EUR
30000+0.063 EUR
75000+0.056 EUR
150000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR5105PT1G NTR5105PT1G ON Semiconductor ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.093 EUR
9000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR5105PT1G NTR5105PT1G ONSEMI ntr5105p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.31 EUR
353+0.24 EUR
407+0.21 EUR
544+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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NTR5105PT1G NTR5105PT1G onsemi NTR5105P-D.PDF MOSFETs PFET SOT23 60V 211MA 5OHM
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10+0.36 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTR5105PT1G NTR5105PT1G ON Semiconductor ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
459+0.38 EUR
686+0.25 EUR
693+0.24 EUR
1320+0.12 EUR
1334+0.11 EUR
1348+0.11 EUR
1423+0.098 EUR
3000+0.089 EUR
6000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 459 Stücke
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NTR5105PT1G NTR5105PT1G onsemi ntr5105p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 182913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
80+0.26 EUR
128+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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NTR5105PT1G NTR5105PT1G ONSEMI 2578365.pdf Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 19863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
527+0.48 EUR
710+0.32 EUR
1087+0.2 EUR
1409+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 527 Stücke
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NTR5105PT1G NTR5105PT1G ONSEMI 2578365.pdf Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 347mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 194708 Stücke:
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447+0.56 EUR
788+0.3 EUR
1200+0.18 EUR
1780+0.12 EUR
2005+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
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NTR5105PT1G Aptina Imaging ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
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3000+0.086 EUR
9000+0.071 EUR
24000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR5105PT1G Aptina Imaging ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.093 EUR
9000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR5105PT1G Aptina Imaging ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.098 EUR
12000+0.092 EUR
27000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR5105PT1G Aptina Imaging ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16917 Stücke:
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1320+0.13 EUR
1423+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.095 EUR
15000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 1320 Stücke
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NTR5105PT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.088 EUR
6000+0.079 EUR
9000+0.074 EUR
15000+0.069 EUR
21000+0.065 EUR
30000+0.063 EUR
75000+0.056 EUR
150000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR5105PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.093 EUR
9000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTR5105PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+0.31 EUR
353+0.24 EUR
407+0.21 EUR
544+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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NTR5105PT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs PFET SOT23 60V 211MA 5OHM
auf Bestellung 243780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.36 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
NTR5105PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
459+0.38 EUR
686+0.25 EUR
693+0.24 EUR
1320+0.12 EUR
1334+0.11 EUR
1348+0.11 EUR
1423+0.098 EUR
3000+0.089 EUR
6000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 459 Stücke
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NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
NTR5105PT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 182913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+0.44 EUR
80+0.26 EUR
128+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5105PT1G 2578365.pdf
NTR5105PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 19863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
527+0.48 EUR
710+0.32 EUR
1087+0.2 EUR
1409+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 527 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NTR5105PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 347mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 194708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
447+0.56 EUR
788+0.3 EUR
1200+0.18 EUR
1780+0.12 EUR
2005+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
Hersteller: Aptina Imaging
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.086 EUR
9000+0.071 EUR
24000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Aptina Imaging
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.093 EUR
9000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Aptina Imaging
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.1 EUR
6000+0.098 EUR
12000+0.092 EUR
27000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Aptina Imaging
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1320+0.13 EUR
1423+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.095 EUR
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