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NTR5105PT1G

NTR5105PT1G ON Semiconductor

ntr5105p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details NTR5105PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 196mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 347mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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NTR5105PT1G NTR5105PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
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NTR5105PT1G NTR5105PT1G Hersteller : onsemi ntr5105p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
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NTR5105PT1G NTR5105PT1G Hersteller : ONSEMI ntr5105p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
250+0.29 EUR
385+0.19 EUR
549+0.13 EUR
637+0.11 EUR
873+0.08 EUR
884+0.08 EUR
923+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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NTR5105PT1G NTR5105PT1G Hersteller : ONSEMI ntr5105p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NTR5105PT1G NTR5105PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
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1334+0.10 EUR
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NTR5105PT1G NTR5105PT1G Hersteller : onsemi ntr5105p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
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NTR5105PT1G NTR5105PT1G Hersteller : onsemi ntr5105p-d.pdf MOSFETs PFET SOT23 60V 211MA 5OHM
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3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
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NTR5105PT1G NTR5105PT1G Hersteller : ONSEMI 2578365.pdf Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NTR5105PT1G NTR5105PT1G Hersteller : ONSEMI 2578365.pdf Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NTR5105PT1G NTR5105PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
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NTR5105PT1G Hersteller : Aptina Imaging ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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9000+0.06 EUR
24000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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NTR5105PT1G Hersteller : Aptina Imaging ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000
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NTR5105PT1G Hersteller : Aptina Imaging ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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6000+0.08 EUR
12000+0.08 EUR
27000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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NTR5105PT1G Hersteller : Aptina Imaging ntr5105p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16917 Stücke:
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1348+0.10 EUR
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