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NTS4001NT1G

NTS4001NT1G ON Semiconductor

nts4001n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details NTS4001NT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 330mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V.

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NTS4001NT1G NTS4001NT1G Hersteller : ONSEMI nts4001n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G Hersteller : ONSEMI nts4001n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC70; SOT323
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Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G Hersteller : onsemi nts4001n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G Hersteller : onsemi NTS4001N_D-2319357.pdf MOSFET 30V 270mA N-Channel
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G Hersteller : onsemi nts4001n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G Hersteller : ON Semiconductor nts4001n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R
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NTS4001NT1G Hersteller : ON Semiconductor nts4001n-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 270 мА; Ptot, Вт = 0,33; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 33 @ 5; Qg, нКл = 1,3 @ 5 В; Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,5 В @ 100 мкА; SOT-323
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NTS4001NT1G Hersteller : ON-Semicoductor nts4001n-d.pdf N-MOSFET 30V 0.27A NTS4001NT1G TNTS4001n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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