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NTS4001NT1G

NTS4001NT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details NTS4001NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 330mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTS4001NT1G NTS4001NT1G ON Semiconductor nts4001n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G onsemi nts4001n-d.pdf MOSFETs 30V 270mA N-Channel
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G onsemi nts4001n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013296019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 270mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013296019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G ONSEMI nts4001n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
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NTS4001NT1G ON-Semiconductor nts4001n-d.pdf N-MOSFET 30V 0.27A NTS4001NT1G TNTS4001n
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NTS4001NT1G ON Semiconductor NTS4001N-D.PDF N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 270 мА, Ptot, Вт = 0,33, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 33 @ 5, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
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Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
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NTS4001NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
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NTS4001NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
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Polarisation: unipolar
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Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
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N-MOSFET 30V 0.27A NTS4001NT1G TNTS4001n
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