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NTS4001NT1G

NTS4001NT1G ON Semiconductor

nts4001n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details NTS4001NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G Hersteller : ON Semiconductor nts4001n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G Hersteller : onsemi nts4001n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G Hersteller : ONSEMI nts4001n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.33W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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304+0.24 EUR
486+0.15 EUR
603+0.12 EUR
770+0.09 EUR
807+0.09 EUR
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G Hersteller : ONSEMI nts4001n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.33W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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486+0.15 EUR
603+0.12 EUR
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G Hersteller : ON Semiconductor nts4001n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G Hersteller : ON Semiconductor nts4001n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G Hersteller : onsemi NTS4001N_D-2319357.pdf MOSFETs 30V 270mA N-Channel
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G Hersteller : onsemi nts4001n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013296019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NTS4001NT1G NTS4001NT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013296019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NTS4001NT1G Hersteller : ON Semiconductor nts4001n-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 270 мА; Ptot, Вт = 0,33; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 33 @ 5; Qg, нКл = 1,3 @ 5 В; Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,5 В @ 100 мкА; SOT-323
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28+0.21 EUR
100+0.18 EUR
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NTS4001NT1G Hersteller : ON-Semicoductor nts4001n-d.pdf N-MOSFET 30V 0.27A NTS4001NT1G TNTS4001n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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