NTS4173PT1G ON Semiconductor
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.13 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTS4173PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.09 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTS4173PT1G nach Preis ab 0.087 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTS4173PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 4713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 108000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 4713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTS4173PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1088 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTS4173PT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs PFET SC70 30V TR |
auf Bestellung 122275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTS4173PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.09 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 13740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.09 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 13740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
NTS4173PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
| NTS4173PT1G | Hersteller : ONSEMI |
NTS4173PT1G SMD P channel transistors |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
| NTS4173PT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 30V 1.2A NTS4173PT1G TNTS4173pt1g Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2795 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
| NTS4173PT1G |
|
auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
NTS4173PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |