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NTS4173PT1G

NTS4173PT1G ONSEMI

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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
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Technische Details NTS4173PT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, Verlustleistung: 290mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTS4173PT1G NTS4173PT1G ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
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NTS4173PT1G NTS4173PT1G ON-Semiconductor info-tnts4173pt1g.pdf P-MOSFET 30V 1.2A NTS4173PT1G TNTS4173pt1g
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NTS4173PT1G NTS4173PT1G ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 791 Stücke:
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675+0.26 EUR
689+0.25 EUR
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NTS4173PT1G NTS4173PT1G ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2575 Stücke:
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NTS4173PT1G NTS4173PT1G ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 791 Stücke:
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264+0.68 EUR
435+0.39 EUR
555+0.3 EUR
675+0.24 EUR
689+0.23 EUR
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NTS4173PT1G NTS4173PT1G ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
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258+0.69 EUR
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NTS4173PT1G NTS4173PT1G onsemi nts4173p-d.pdf MOSFETs PFET SC70 30V TR
auf Bestellung 16463 Stücke:
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5+0.74 EUR
10+0.32 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4173PT1G NTS4173PT1G onsemi nts4173p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
64+0.33 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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NTS4173PT1G NTS4173PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013579543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 5004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.92 EUR
622+0.37 EUR
710+0.3 EUR
962+0.23 EUR
1500+0.21 EUR
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NTS4173PT1G NTS4173PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013579543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 5004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.92 EUR
622+0.37 EUR
710+0.3 EUR
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1500+0.21 EUR
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NTS4173PT1G NTS4173PT1G ONSEMI nts4173p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -800mA
Power dissipation: 0.29W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -5A
auf Bestellung 2311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTS4173PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
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3000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
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Hersteller: ON-Semiconductor
P-MOSFET 30V 1.2A NTS4173PT1G TNTS4173pt1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 791 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
675+0.26 EUR
689+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 675 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2575 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
264+0.68 EUR
435+0.39 EUR
555+0.3 EUR
675+0.24 EUR
689+0.23 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2575 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: onsemi
MOSFETs PFET SC70 30V TR
auf Bestellung 16463 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+0.74 EUR
10+0.32 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NTS4173PT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
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28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
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100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NTS4173PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 5004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
274+0.92 EUR
622+0.37 EUR
710+0.3 EUR
962+0.23 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NTS4173PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 5004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
274+0.92 EUR
622+0.37 EUR
710+0.3 EUR
962+0.23 EUR
1500+0.21 EUR
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NTS4173PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -800mA
Power dissipation: 0.29W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -5A
auf Bestellung 2311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
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