NTS4173PT1G ON Semiconductor
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Technische Details NTS4173PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NTS4173PT1G nach Preis ab 0.077 EUR bis 0.58 EUR
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NTS4173PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
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NTS4173PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V |
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NTS4173PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
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NTS4173PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
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NTS4173PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
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NTS4173PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 1622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTS4173PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -5A Drain current: -800mA Gate charge: 10.1nC On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 0.29W Gate-source voltage: ±12V Case: SC70; SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET |
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NTS4173PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -5A Drain current: -800mA Gate charge: 10.1nC On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 0.29W Gate-source voltage: ±12V Case: SC70; SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTS4173PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
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NTS4173PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V |
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NTS4173PT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs PFET SC70 30V TR |
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NTS4173PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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NTS4173PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 12209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTS4173PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTS4173PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTS4173PT1G | Hersteller : ON-Semiconductor |
P-MOSFET 30V 1.2A NTS4173PT1G TNTS4173pt1g Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) |
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NTS4173PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R |
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