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NTTFS4943NTAG onsemi


nttfs4943n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
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Technische Details NTTFS4943NTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 22.3W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 41A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).

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