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NTTFS4C05NTAG

NTTFS4C05NTAG ON Semiconductor

nttfs4c05n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
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Technische Details NTTFS4C05NTAG ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V.

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NTTFS4C05NTAG NTTFS4C05NTAG Hersteller : onsemi NTTFS4C05N_D-2319129.pdf MOSFET Power MOSFET 30V 75A 3.6 mOhm Single N-Channel u8FL
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NTTFS4C05NTAG NTTFS4C05NTAG Hersteller : onsemi nttfs4c05n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
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NTTFS4C05NTAG Hersteller : ONSEMI nttfs4c05n-d.pdf NTTFS4C05NTAG SMD N channel transistors
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NTTFS4C05NTAG NTTFS4C05NTAG Hersteller : onsemi nttfs4c05n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
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