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NTTFS6H850NTAG

NTTFS6H850NTAG ON Semiconductor

nttfs6h850n-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
NTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com
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Technische Details NTTFS6H850NTAG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG onsemi nttfs6h850n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG ON Semiconductor nttfs6h850n-d.pdf NTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com
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NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG onsemi nttfs6h850n-d.pdf MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
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NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG onsemi nttfs6h850n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG ONSEMI 2620004.pdf Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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140+1.65 EUR
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NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG ONSEMI 2620004.pdf Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NTTFS6H850NTAG
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
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Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
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MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
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Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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