NTUD3127CT5G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.16A SOT963
Supplier Device Package: SOT-963
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA, 140mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 125mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Bulk
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Technische Details NTUD3127CT5G onsemi
Description: ONSEMI - NTUD3127CT5G - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 20 V, 20 V, 160 mA, -140 mA, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -140mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 125mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-963, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 125mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTUD3127CT5G nach Preis ab 0.87 EUR bis 0.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| NTUD3127CT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTUD3127CT5G - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 20 V, 20 V, 160 mA, -140 mA tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 160mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 125mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1995303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTUD3127CT5G |
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auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTUD3127CT5G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTUD3127CT5G - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 20 V, 20 V, 160 mA, -140 mA
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Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTUD3127CT5G - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 20 V, 20 V, 160 mA, -140 mA
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Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
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Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1995303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 289+ | 0.87 EUR |
| NTUD3127CT5G |
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auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)