NTUD3170NZT5G ON Semiconductor
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Technische Details NTUD3170NZT5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTUD3170NZT5G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 125mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-963, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 125mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTUD3170NZT5G nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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NTUD3170NZT5G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.22A 6-Pin SOT-963 T/R |
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NTUD3170NZT5G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 125mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.5pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 |
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NTUD3170NZT5G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 125mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.5pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 |
auf Bestellung 104974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTUD3170NZT5G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 20V Trench N-Channel |
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NTUD3170NZT5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTUD3170NZT5G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm Verlustleistung, p-Kanal: 125mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NTUD3170NZT5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTUD3170NZT5G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm Verlustleistung, p-Kanal: 125mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NTUD3170NZT5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTUD3170NZT5G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm Verlustleistung, p-Kanal: 125mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NTUD3170NZT5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.22A 6-Pin SOT-963 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTUD3170NZT5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.22A 6-Pin SOT-963 T/R |
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| NTUD3170NZT5G | Hersteller : ONSEMI |
NTUD3170NZT5G Multi channel transistors |
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