NTZS3151PT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.16 EUR |
| 8000+ | 0.15 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTZS3151PT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 860mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTZS3151PT1G nach Preis ab 0.10 EUR bis 0.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTZS3151PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 6470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTZS3151PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 6470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTZS3151PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTZS3151PT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET -20V -950mA P-Channel |
auf Bestellung 5474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTZS3151PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 170mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V |
auf Bestellung 17645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTZS3151PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 860mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
|
|
NTZS3151PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 860mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
|
|
NTZS3151PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||||
 |
NTZS3151PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | Hersteller : ONSEMI |
NTZS3151PT1G SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |