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NTZS3151PT1G

NTZS3151PT1G onsemi

ntzs3151p-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
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Technische Details NTZS3151PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 860mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 210mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G ON Semiconductor ntzs3151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
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NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G ON Semiconductor ntzs3151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
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947+0.17 EUR
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NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G ON Semiconductor ntzs3151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
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NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G onsemi ntzs3151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
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NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G onsemi ntzs3151p-d.pdf MOSFETs -20V -950mA P-Channel
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 210mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
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NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299971-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 210mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
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NTZS3151PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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Verlustleistung: 210mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
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AnzahlPrivatkunde
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484+0.48 EUR
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NTZS3151PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 210mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
299+0.83 EUR
484+0.48 EUR
764+0.29 EUR
1000+0.24 EUR
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