NUP1105LT1G ON Semiconductor
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Technische Details NUP1105LT1G ON Semiconductor
Description: TVS DIODE 24VWM 44VC SOT233, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: CAN, Capacitance @ Frequency: 60pF @ 1MHz, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Min), Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 25.7V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 44V, Power - Peak Pulse: 350W, Power Line Protection: No.
Weitere Produktangebote NUP1105LT1G nach Preis ab 0.096 EUR bis 0.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||||
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NUP1105LT1G | Hersteller : onsemi |
 Description: TVS DIODE 24VWM 44VC SOT233Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: CAN Capacitance @ Frequency: 60pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 25.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 44V Power - Peak Pulse: 350W Power Line Protection: No |
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NUP1105LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 24V 44Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
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NUP1105LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 24V 44Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NUP1105LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 24V 44Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NUP1105LT1G | Hersteller : onsemi |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 27V LIN BUS Protection |
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NUP1105LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TVS DIODE 24VWM 44VC SOT233 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: CAN Capacitance @ Frequency: 60pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 25.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 44V Power - Peak Pulse: 350W Power Line Protection: No |
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NUP1105LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP1105LT1G - ESD-Schutzbaustein, 40 V, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 350 W, NUP11 tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 40V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 24V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NUP11 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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NUP1105LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP1105LT1G - ESD-Schutzbaustein, 40 V, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 350 W, NUP11 tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 40V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 24V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NUP11 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NUP1105LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 24V 44Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NUP1105LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 24V 44Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
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NUP1105LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 24V 44Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NUP1105LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor Diode TVS Bi-Dir 24V 44Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
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| NUP1105LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Protection diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 25.7÷28.4V; 8A; 350W; double,common cathode Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 25.7...28.4V Max. forward impulse current: 8A Peak pulse power dissipation: 0.35kW Semiconductor structure: common cathode; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 24V Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Application: CAN Version: ESD Leakage current: 0.1µA |
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