Produkte > NAVITAS SEMICONDUCTOR > NV6012C-RA
NV6012C-RA

NV6012C-RA Navitas Semiconductor


Hersteller: Navitas Semiconductor
GaN FETs GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.83 EUR
10+1.9 EUR
100+1.61 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.48 EUR
2000+1.42 EUR
5000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NV6012C-RA Navitas Semiconductor

Description: NAVITAS - NV6012C-RA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 2.7 A, 0.43 ohm, 0.85 nC, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 0.85nC, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: GaNFast NV6012C Series, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote NV6012C-RA

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NV6012C-RA NV6012C-RA Hersteller : NAVITAS NV6012C_Datasheet.pdf Description: NAVITAS - NV6012C-RA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 2.7 A, 0.43 ohm, 0.85 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.85nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: GaNFast NV6012C Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH