NV6012C-RA Navitas Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.37 EUR |
| 10+ | 2.26 EUR |
| 100+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.83 EUR |
| 1000+ | 1.76 EUR |
| 2000+ | 1.69 EUR |
| 5000+ | 1.59 EUR |
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Technische Details NV6012C-RA Navitas Semiconductor
Description: NAVITAS - NV6012C-RA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 2.7 A, 0.43 ohm, 0.85 nC, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 0.85nC, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: GaNFast NV6012C Series, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NV6012C-RA | NAVITAS |
 Description: NAVITAS - NV6012C-RA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 2.7 A, 0.43 ohm, 0.85 nC, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 0.85nC Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: GaNFast NV6012C Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NV6012C-RA |
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Hersteller: NAVITAS
Description: NAVITAS - NV6012C-RA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 2.7 A, 0.43 ohm, 0.85 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.85nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: GaNFast NV6012C Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NAVITAS - NV6012C-RA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 2.7 A, 0.43 ohm, 0.85 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.85nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: GaNFast NV6012C Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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