Produkte > ONSEMI > NVBYST001N08XTXG

NVBYST001N08XTXG ONSEMI


4737494.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBYST001N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 467 A, 0.00119 ohm, TCPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.91 EUR
500+5.81 EUR
1000+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 100 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NVBYST001N08XTXG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVBYST001N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 467 A, 0.00119 ohm, TCPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 467A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 517W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TCPAK, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00119ohm.

Weitere Produktangebote NVBYST001N08XTXG nach Preis ab 5.32 EUR bis 14.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVBYST001N08XTXG NVBYST001N08XTXG onsemi NVBYST001N08X-D.PDF MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB6)
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11 EUR
10+7.2 EUR
100+5.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBYST001N08XTXG NVBYST001N08XTXG ONSEMI 4737494.pdf Description: ONSEMI - NVBYST001N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 467 A, 0.00119 ohm, TCPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 467A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TCPAK
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00119ohm
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.38 EUR
30+7.98 EUR
100+5.91 EUR
500+5.81 EUR
1000+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBYST001N08XTXG NVBYST001N08X-D.PDF
Hersteller: onsemi
MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB6)
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11 EUR
10+7.2 EUR
100+5.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBYST001N08XTXG 4737494.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBYST001N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 467 A, 0.00119 ohm, TCPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 467A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TCPAK
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00119ohm
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.38 EUR
30+7.98 EUR
100+5.91 EUR
500+5.81 EUR
1000+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH