NVD5C632NLT4G onsemi
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| 500+ | 3.03 EUR |
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Technische Details NVD5C632NLT4G onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 155A; Idm: 900A; 58W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 155A, Pulsed drain current: 900A, Power dissipation: 58W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 78nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote NVD5C632NLT4G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NVD5C632NLT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NVD5C632NLT4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 155A; Idm: 900A; 58W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 155A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 58W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVD5C632NLT4G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NVD5C632NLT4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 155A; Idm: 900A; 58W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 155A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 58W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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