| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 39.65 EUR |
| 30+ | 24.92 EUR |
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Technische Details NVH4L040N120M3S-IE onsemi
Description: ONSEMI - NVH4L040N120M3S-IE - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 231W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.
Weitere Produktangebote NVH4L040N120M3S-IE nach Preis ab 25.11 EUR bis 44.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NVH4L040N120M3S-IE | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NVH4L040N120M3S-IE - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247tariffCode: 85411000 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 231W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVH4L040N120M3S-IE |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L040N120M3S-IE - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
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Produktpalette: EliteSiC Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: ONSEMI - NVH4L040N120M3S-IE - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
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Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 44.91 EUR |
| 7+ | 36.74 EUR |
| 10+ | 28.89 EUR |
| 50+ | 27.44 EUR |
| 100+ | 26.05 EUR |
| 250+ | 25.11 EUR |