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Technische Details NVMFD5C446NLWFT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 2200 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2200µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 125W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2200µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 125W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NVMFD5C446NLWFT1G nach Preis ab 3.77 EUR bis 9.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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NVMFD5C446NLWFT1G | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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NVMFD5C446NLWFT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 2200 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2200µohm Verlustleistung, p-Kanal: 125W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2200µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NVMFD5C446NLWFT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 2200 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2200µohm Verlustleistung, p-Kanal: 125W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2200µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NVMFD5C446NLWFT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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