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NVMFD5C446NT1G

NVMFD5C446NT1G onsemi

nvmfd5c446n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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Technische Details NVMFD5C446NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 89W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 89W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote NVMFD5C446NT1G nach Preis ab 3.56 EUR bis 10.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMFD5C446NT1G NVMFD5C446NT1G ONSEMI 2620006.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 89W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 89W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.19 EUR
500+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NVMFD5C446NT1G NVMFD5C446NT1G onsemi nvmfd5c446n-d.pdf MOSFETs 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.6 EUR
10+5.4 EUR
100+4.32 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.81 EUR
1500+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NT1G NVMFD5C446NT1G onsemi nvmfd5c446n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.92 EUR
10+6.6 EUR
100+4.71 EUR
500+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NVMFD5C446NT1G NVMFD5C446NT1G ONSEMI 2620006.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 89W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 89W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.54 EUR
34+6.94 EUR
100+5.19 EUR
500+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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NVMFD5C446NT1G NVMFD5C446NT1G ON Semiconductor nvmfd5c446n-d.pdf MOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NVMFD5C446NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 89W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 89W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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NVMFD5C446NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 24A 8DFN
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Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.2W (Ta), 89W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+6.6 EUR
100+4.71 EUR
500+3.9 EUR
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NVMFD5C446NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 127 A, 127 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 127A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 89W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 89W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1298 Stücke:
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24+10.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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MOSFET 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Hersteller: ONN
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