NVMFD5C478NT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1500+ | 1.25 EUR |
| 3000+ | 1.18 EUR |
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Technische Details NVMFD5C478NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVMFD5C478NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 23W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 23W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NVMFD5C478NT1G nach Preis ab 1.42 EUR bis 4.03 EUR
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NVMFD5C478NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W (Ta), 23W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 10500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFD5C478NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C478NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFD5C478NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
MOSFET 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8 |
auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFD5C478NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C478NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFD5C478NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NVMFD5C478NT1G | Hersteller : ONSEMI |
NVMFD5C478NT1G SMD N channel transistors |
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