NVMFD5C668NLT1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 2.92 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Mindestmenge:
1500 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NVMFD5C668NLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVMFD5C668NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 68 A, 68 A, 0.0065 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 68A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 57.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 57.5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote NVMFD5C668NLT1G nach Preis ab 1.39 EUR bis 10.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVMFD5C668NLT1G | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 424094 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
NVMFD5C668NLT1G | onsemi |
MOSFETs T6 60V S08FL DUAL |
auf Bestellung 1055 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
NVMFD5C668NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C668NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 68 A, 68 A, 0.0065 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 68A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 57.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 57.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 1806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
NVMFD5C668NLT1G | ON Semiconductor |
MOSFET T6 60V S08FL DUAL |
auf Bestellung 4196 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NVMFD5C668NLT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| NVMFD5C668NLT1G |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 424094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.19 EUR |
| 10+ | 5.39 EUR |
| 100+ | 3.81 EUR |
| 500+ | 3.13 EUR |
| NVMFD5C668NLT1G |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 60V S08FL DUAL
MOSFETs T6 60V S08FL DUAL
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.2 EUR |
| 10+ | 6.03 EUR |
| 100+ | 4.5 EUR |
| 500+ | 3.77 EUR |
| 1000+ | 3.5 EUR |
| 1500+ | 3.28 EUR |
| NVMFD5C668NLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C668NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 68 A, 68 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 68A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 57.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 57.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - NVMFD5C668NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 68 A, 68 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 68A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 57.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 57.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 10.67 EUR |
| 36+ | 6.5 EUR |
| 100+ | 4.45 EUR |
| 500+ | 3.75 EUR |
| 1000+ | 3.49 EUR |
| NVMFD5C668NLT1G |
|
Hersteller: ON Semiconductor
MOSFET T6 60V S08FL DUAL
MOSFET T6 60V S08FL DUAL
auf Bestellung 4196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| NVMFD5C668NLT1G |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V Automotive 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 75+ | 2.38 EUR |
| 86+ | 2.01 EUR |
| 88+ | 1.89 EUR |
| 115+ | 1.39 EUR |