NVMFD5C668NLWFT1G ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 133+ | 1.34 EUR |
| 137+ | 1.26 EUR |
| 138+ | 1.2 EUR |
| 144+ | 1.11 EUR |
| 250+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.99 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
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Technische Details NVMFD5C668NLWFT1G ON Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 68A; Idm: 454A; 29W; DFN8, Mounting: SMD, Case: DFN8, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 454A, Power dissipation: 29W, Gate charge: 21.3nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 68A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET x2, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.5mΩ.
Weitere Produktangebote NVMFD5C668NLWFT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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NVMFD5C668NLWFT1G | ON Semiconductor |
 MOSFET T6 60V S08FL DUAL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NVMFD5C668NLWFT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 68A; Idm: 454A; 29W; DFN8 Mounting: SMD Case: DFN8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 454A Power dissipation: 29W Gate charge: 21.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 68A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ |
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| NVMFD5C668NLWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R |
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| NVMFD5C668NLWFT1G |
|
Hersteller: ON Semiconductor
MOSFET T6 60V S08FL DUAL
MOSFET T6 60V S08FL DUAL
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| NVMFD5C668NLWFT1G |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 68A; Idm: 454A; 29W; DFN8
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 454A
Power dissipation: 29W
Gate charge: 21.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 68A; Idm: 454A; 29W; DFN8
Mounting: SMD
Case: DFN8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 454A
Power dissipation: 29W
Gate charge: 21.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
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| NVMFD5C668NLWFT1G |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 15.5A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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