Produkte > ONSEMI > NVMFD5C672NLT1G
NVMFD5C672NLT1G

NVMFD5C672NLT1G onsemi

nvmfd5c672nl-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.02 EUR
10+3.26 EUR
100+2.26 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NVMFD5C672NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0098 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0098ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 45W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 45W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote NVMFD5C672NLT1G

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NVMFD5C672NLT1G NVMFD5C672NLT1G Hersteller : ONSEMI 2571967.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0098 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0098ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C672NLT1G NVMFD5C672NLT1G Hersteller : ONSEMI 2571967.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 49 A, 49 A, 0.0098 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0098ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C672NLT1G Hersteller : ONSEMI nvmfd5c672nl-d.pdf NVMFD5C672NLT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C672NLT1G NVMFD5C672NLT1G Hersteller : onsemi nvmfd5c672nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C672NLT1G NVMFD5C672NLT1G Hersteller : ON Semiconductor NVMFD5C672NL_D-2319638.pdf MOSFET T6 60V LL S08FL DS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH