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NVMFD5C672NLWFT1G

NVMFD5C672NLWFT1G onsemi

nvmfd5c672nl-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details NVMFD5C672NLWFT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 12A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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NVMFD5C672NLWFT1G NVMFD5C672NLWFT1G Hersteller : ON Semiconductor nvmfd5c672nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
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63+2.28 EUR
64+2.18 EUR
100+1.80 EUR
250+1.71 EUR
500+1.46 EUR
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NVMFD5C672NLWFT1G NVMFD5C672NLWFT1G Hersteller : ON Semiconductor nvmfd5c672nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
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NVMFD5C672NLWFT1G NVMFD5C672NLWFT1G Hersteller : onsemi NVMFD5C672NL_D-2319638.pdf MOSFET T6 60V LL S08FL DS
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1500+1.69 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
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Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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