NVMFS2D5N08X ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS2D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 156 A, 2550 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 156A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 133W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.02 EUR |
| 500+ | 2.33 EUR |
| 1000+ | 2.14 EUR |
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Technische Details NVMFS2D5N08X ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS2D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 156 A, 2550 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 156A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 133W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm.
Weitere Produktangebote NVMFS2D5N08X nach Preis ab 2.14 EUR bis 7.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NVMFS2D5N08X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS2D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 156 A, 2550 µohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 156A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 133W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm |
auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS2D5N08X |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS2D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 156 A, 2550 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: WDFN
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
Description: ONSEMI - NVMFS2D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 156 A, 2550 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
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| 34+ | 7.4 EUR |
| 53+ | 4.45 EUR |
| 100+ | 3.02 EUR |
| 500+ | 2.33 EUR |
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