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NVMFS4C03NT1G

NVMFS4C03NT1G onsemi

nvmfs4c03n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details NVMFS4C03NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote NVMFS4C03NT1G nach Preis ab 1.73 EUR bis 6.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMFS4C03NT1G NVMFS4C03NT1G ONSEMI nvmfs4c03n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 77W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.87 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NT1G NVMFS4C03NT1G onsemi nvmfs4c03n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.36 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NVMFS4C03NT1G NVMFS4C03NT1G onsemi nvmfs4c03n-d.pdf MOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+3.27 EUR
100+2.56 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.92 EUR
1500+1.74 EUR
3000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS4C03NT1G NVMFS4C03NT1G ONSEMI nvmfs4c03n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 77W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.52 EUR
64+3.64 EUR
100+2.87 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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NVMFS4C03NT1G ON-Semiconductor nvmfs4c03n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R NVMFS4C03NT1G TNVMFS4C03N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NVMFS4C03NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
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NVMFS4C03NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
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Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
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NVMFS4C03NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 77W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+6.52 EUR
64+3.64 EUR
100+2.87 EUR
500+2.19 EUR
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Hersteller: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R NVMFS4C03NT1G TNVMFS4C03N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
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