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NVMFS4C05NT1G

NVMFS4C05NT1G ON Semiconductor

nvmfs4c05n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
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Technische Details NVMFS4C05NT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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NVMFS4C05NT1G NVMFS4C05NT1G Hersteller : onsemi nvmfs4c05n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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82+1.82 EUR
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NVMFS4C05NT1G NVMFS4C05NT1G Hersteller : onsemi NVMFS4C05N_D-2319604.pdf MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NVMFS4C05NT1G NVMFS4C05NT1G Hersteller : ON Semiconductor NVMFS4C05N-D-339519.pdf MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
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NVMFS4C05NT1G Hersteller : ONSEMI nvmfs4c05n-d.pdf NVMFS4C05NT1G SMD N channel transistors
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