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NVMFS5C426NLT1G

NVMFS5C426NLT1G onsemi

nvmfs5c426nl-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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Technische Details NVMFS5C426NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote NVMFS5C426NLT1G nach Preis ab 2.64 EUR bis 8.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMFS5C426NLT1G NVMFS5C426NLT1G ONSEMI 2620009.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.69 EUR
500+3.05 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NVMFS5C426NLT1G NVMFS5C426NLT1G ON Semiconductor nvmfs5c426nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.3 EUR
45+3.86 EUR
46+3.65 EUR
100+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C426NLT1G NVMFS5C426NLT1G ON Semiconductor nvmfs5c426nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.3 EUR
45+3.77 EUR
46+3.52 EUR
100+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C426NLT1G NVMFS5C426NLT1G onsemi nvmfs5c426nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.85 EUR
10+5.75 EUR
100+4.65 EUR
500+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NVMFS5C426NLT1G NVMFS5C426NLT1G ONSEMI 2620009.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 237A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.5 EUR
42+5.62 EUR
100+3.69 EUR
500+3.05 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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NVMFS5C426NLT1G ONN nvmfs5c426nl-d.pdf
auf Bestellung 1405 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NVMFS5C426NLT1G 2620009.pdf
NVMFS5C426NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 237A
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
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auf Bestellung 171 Stücke:
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+5.75 EUR
100+4.65 EUR
500+4.13 EUR
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NVMFS5C426NLT1G 2620009.pdf
NVMFS5C426NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.5 EUR
42+5.62 EUR
100+3.69 EUR
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1000+3 EUR
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