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NVMFS5C604NLAFT1G

NVMFS5C604NLAFT1G ON Semiconductor

nvmfs5c604nl-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1500+4.9 EUR
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Technische Details NVMFS5C604NLAFT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 287A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NVMFS5C604NLAFT1G nach Preis ab 4.83 EUR bis 14.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMFS5C604NLAFT1G NVMFS5C604NLAFT1G ON Semiconductor nvmfs5c604nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
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1500+4.95 EUR
3000+4.83 EUR
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NVMFS5C604NLAFT1G NVMFS5C604NLAFT1G onsemi nvmfs5c604nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 215490 Stücke:
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1500+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVMFS5C604NLAFT1G NVMFS5C604NLAFT1G onsemi NVMFS5C604NL_D-2319778.pdf MOSFETs T6 60V HEFET
auf Bestellung 5013 Stücke:
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1+11.44 EUR
10+9.59 EUR
25+9.07 EUR
100+7.77 EUR
250+7.35 EUR
500+6.91 EUR
1000+5.93 EUR
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NVMFS5C604NLAFT1G NVMFS5C604NLAFT1G onsemi nvmfs5c604nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 215770 Stücke:
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2+12.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NVMFS5C604NLAFT1G NVMFS5C604NLAFT1G ONSEMI ONSM-S-A0013277168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4478 Stücke:
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19+13.61 EUR
26+9.04 EUR
100+6.26 EUR
500+5.94 EUR
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NVMFS5C604NLAFT1G NVMFS5C604NLAFT1G ONSEMI ONSM-S-A0013277168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 6951 Stücke:
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18+14.4 EUR
26+9.21 EUR
100+6.3 EUR
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1000+5.31 EUR
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NVMFS5C604NLAFT1G ONN nvmfs5c604nl-d.pdf
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
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3000+4.83 EUR
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NVMFS5C604NLAFT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 215490 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1500+5.5 EUR
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NVMFS5C604NLAFT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 60V HEFET
auf Bestellung 5013 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+11.44 EUR
10+9.59 EUR
25+9.07 EUR
100+7.77 EUR
250+7.35 EUR
500+6.91 EUR
1000+5.93 EUR
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NVMFS5C604NLAFT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 215770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.79 EUR
10+8.72 EUR
100+6.39 EUR
500+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NVMFS5C604NLAFT1G ONSM-S-A0013277168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVMFS5C604NLAFT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.61 EUR
26+9.04 EUR
100+6.26 EUR
500+5.94 EUR
1000+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C604NLAFT1G ONSM-S-A0013277168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVMFS5C604NLAFT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 6951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.4 EUR
26+9.21 EUR
100+6.3 EUR
500+5.33 EUR
1000+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C604NLAFT1G nvmfs5c604nl-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH