Technische Details NVMFS5C604NLAFT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 287A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 200W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm.
Weitere Produktangebote NVMFS5C604NLAFT1G nach Preis ab 4.77 EUR bis 16.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NVMFS5C604NLAFT1G | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFS5C604NLAFT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 215490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFS5C604NLAFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 287A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm |
auf Bestellung 3170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFS5C604NLAFT1G | onsemi |
MOSFETs T6 60V HEFET |
auf Bestellung 5013 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFS5C604NLAFT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc) FET Type: N-Channel Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 215770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFS5C604NLAFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 287A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm |
auf Bestellung 3170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C604NLAFT1G | ONN |
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auf Bestellung 1415 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVMFS5C604NLAFT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 4.89 EUR |
| 3000+ | 4.77 EUR |
| NVMFS5C604NLAFT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 215490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 5.5 EUR |
| NVMFS5C604NLAFT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
auf Bestellung 3170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 7.79 EUR |
| 500+ | 7.65 EUR |
| 1000+ | 7.47 EUR |
| NVMFS5C604NLAFT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 60V HEFET
MOSFETs T6 60V HEFET
auf Bestellung 5013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.44 EUR |
| 10+ | 9.59 EUR |
| 25+ | 9.07 EUR |
| 100+ | 7.77 EUR |
| 250+ | 7.35 EUR |
| 500+ | 6.91 EUR |
| 1000+ | 5.93 EUR |
| NVMFS5C604NLAFT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 215770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.79 EUR |
| 10+ | 8.72 EUR |
| 100+ | 6.39 EUR |
| 500+ | 5.49 EUR |
| NVMFS5C604NLAFT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
auf Bestellung 3170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 16.92 EUR |
| 23+ | 10.48 EUR |
| 100+ | 7.79 EUR |
| 500+ | 7.65 EUR |
| 1000+ | 7.47 EUR |
| NVMFS5C604NLAFT1G |
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)