Produkte > ONSEMI > NVMFS5C628NLT1G
NVMFS5C628NLT1G

NVMFS5C628NLT1G ONSEMI

2729270.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.98 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NVMFS5C628NLT1G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 60V 5DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Weitere Produktangebote NVMFS5C628NLT1G nach Preis ab 2.36 EUR bis 7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMFS5C628NLT1G NVMFS5C628NLT1G onsemi nvmfs5c628nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.33 EUR
10+4.14 EUR
100+2.89 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLT1G NVMFS5C628NLT1G onsemi nvmfs5c628nl-d.pdf MOSFETs TRENCH 6 60V NFET
auf Bestellung 22109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLT1G NVMFS5C628NLT1G ONSEMI 2729270.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7 EUR
52+4.55 EUR
100+3.11 EUR
500+3 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLT1G nvmfs5c628nl-d.pdf
NVMFS5C628NLT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.33 EUR
10+4.14 EUR
100+2.89 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLT1G nvmfs5c628nl-d.pdf
NVMFS5C628NLT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs TRENCH 6 60V NFET
auf Bestellung 22109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.37 EUR
10+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C628NLT1G 2729270.pdf
NVMFS5C628NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+7 EUR
52+4.55 EUR
100+3.11 EUR
500+3 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH