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NVMFS5C628NT1G onsemi


nvmfs5c628n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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Technische Details NVMFS5C628NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMFS5C628NT1G NVMFS5C628NT1G ONSEMI 2913029.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C628NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.34 EUR
500+3 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NVMFS5C628NT1G NVMFS5C628NT1G onsemi NVMFS5C628N_D-2319867.pdf MOSFETs T6 60V SG
auf Bestellung 12300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.7 EUR
10+4.5 EUR
25+4.32 EUR
100+3.31 EUR
250+3.28 EUR
500+2.75 EUR
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NVMFS5C628NT1G NVMFS5C628NT1G ONSEMI 2913029.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C628NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.65 EUR
50+4.74 EUR
100+3.34 EUR
500+3 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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NVMFS5C628NT1G NVMFS5C628NT1G onsemi nvmfs5c628n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
10+5.05 EUR
100+3.55 EUR
500+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NVMFS5C628NT1G 2913029.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C628NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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500+3 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 60V SG
auf Bestellung 12300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.7 EUR
10+4.5 EUR
25+4.32 EUR
100+3.31 EUR
250+3.28 EUR
500+2.75 EUR
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NVMFS5C628NT1G 2913029.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C628NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.65 EUR
50+4.74 EUR
100+3.34 EUR
500+3 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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NVMFS5C628NT1G nvmfs5c628n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.69 EUR
10+5.05 EUR
100+3.55 EUR
500+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH