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NVMFS5C638NLT1G Transistoren

Produktcode: 200475
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G ONSEMI 2620021.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.89 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G onsemi nvmfs5c638nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.55 EUR
10+3.62 EUR
100+2.5 EUR
500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G onsemi 8F2081B0474F77A94CE2776A60AE620F6F8EEEE0BE5F507EA45148044DCBF6FD.pdf MOSFETs 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN
auf Bestellung 3256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.67 EUR
100+2.53 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.92 EUR
1500+1.82 EUR
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NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G ONSEMI 2620021.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 133A
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.27 EUR
53+4.45 EUR
100+2.89 EUR
500+2.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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NVMFS5C638NLT1G ON Semiconductor nvmfs5c638nl-d.pdf
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NVMFS5C638NLT1G 2620021.pdf
NVMFS5C638NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.89 EUR
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NVMFS5C638NLT1G nvmfs5c638nl-d.pdf
NVMFS5C638NLT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NVMFS5C638NLT1G 8F2081B0474F77A94CE2776A60AE620F6F8EEEE0BE5F507EA45148044DCBF6FD.pdf
NVMFS5C638NLT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN
auf Bestellung 3256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.59 EUR
10+3.67 EUR
100+2.53 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.92 EUR
1500+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C638NLT1G 2620021.pdf
NVMFS5C638NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.27 EUR
53+4.45 EUR
100+2.89 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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NVMFS5C638NLT1G nvmfs5c638nl-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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XT60NE-F.G.B schwarz Steckverbinder mit Muttern (Amass)
Produktcode: 204136
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XT60NE-F.G.B schwarz Steckverbinder mit Muttern (Amass)
Hersteller: AMASS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Steckverbinder Stromversorgung schwarz DC. Kontakt "Buchse". Anzahl Kontakte: 2. Montage auf Gehäuse "innen", Draht Maximum 12AWG. Maximaler Strom: 35A (hängt ab von Querschnitt Draht und Temperatur). Nenn- Spannung: 500V. Stufe Schutz: IP40. Betriebs- Temperatur: -20...120°C
Stecker/Buchse: Stecker
Anzahl Kontakte: 2
Steckverbinder-Serie: XT60
Montage: Gehäusemontage
erwartet: 6000 St.
  • 2000 St. - erwartet 14.10.2026
  • 4000 St. - erwartet 14.01.2027
auf Bestellung: 1030 St.
  • 1030 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.69 EUR
10+1.51 EUR
100+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Schalter KCD1-4-201 (schwarz Gehäuse rot Schalter)
Produktcode: 200768
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KCD1-4-201-datasheet.pdf
Schalter KCD1-4-201 (schwarz Gehäuse rot Schalter)Schalter KCD1-4-201 (schwarz Gehäuse rot Schalter)Schalter KCD1-4-201 (schwarz Gehäuse rot Schalter)
Schalter KCD1-4-201 (schwarz Gehäuse rot Schalter)Schalter KCD1-4-201 (schwarz Gehäuse rot Schalter)Schalter KCD1-4-201 (schwarz Gehäuse rot Schalter)
Hersteller: Daier
Passive Bauelemente > Schalter, Schubschalter, Kippschalter (alle außer Knopf/Tasten)
Gruppe: Schalter Rocker
Montage: Klemmen mit Bohrung
Abmessungen: 21x15x28,4 мм
Beschreibung: Schalter Rocker ON-OFF rastend, 4 Kontakte, ohne Beleuchtung, auf einrastend, Farbe schwarz, rot Taste. Montagebohrung: 19,2x13 mm.
Anzahl Stellungen: 2
Belastbarkeit: 6 A / 250 VAC
auf Bestellung: 193 St.
  • 193 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.58 EUR
10+0.46 EUR
100+0.42 EUR
1000+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XT60EW-M.G.B schwarz Steckverbinder(Amass)
Produktcode: 195470
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Amas-cat1.pdf
XT60EW-M.G.B schwarz Steckverbinder(Amass)XT60EW-M.G.B schwarz Steckverbinder(Amass)
XT60EW-M.G.B schwarz Steckverbinder(Amass)XT60EW-M.G.B schwarz Steckverbinder(Amass)
Hersteller: AMASS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Steckverbinder Stromversorgung schwarz DC abgedichtet auf Gehäuse. Kontakt "Stecker", Gehäuse "Buchse". Anzahl Kontakte: 2. Draht Maximum 12AWG. Maximaler Strom: 35A. Nenn- Spannung: 500V. Stufe Schutz:IP65. Betriebs- Temperatur: -20...120°C
Stecker/Buchse: Steckdose
Anzahl Kontakte: 2
Steckverbinder-Serie: XT60
Montage: Gehäusemontage
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet
auf Bestellung: 4952 St.
  • 4952 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.69 EUR
10+1.4 EUR
100+1.18 EUR
1000+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XT60H-F.G.Y gelb Steckverbinder (Amass)
Produktcode: 179483
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Amas-cat1.pdf
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Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Steckverbinder Stromversorgung gelb DC. Kontakt "Buchse", Gehäuse "Stecker". Anzahl Kontakte: 2. Auf Draht Maximum 12AWG. Maximaler Strom: 35A (hängt ab von Querschnitt Draht und Temperatur). Nenn- Spannung: 500V. Stufe Schutz:IP40. Betriebs- Temperatur: -20...120°C
Stecker/Buchse: Stecker
Anzahl Kontakte: 2
Steckverbinder-Serie: XT60
Montage: Kabelmontage
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 48112 St.
  • 48112 St. - erwartet 20.07.2026
AnzahlPrivatkunde
1+1.08 EUR
10+0.9 EUR
100+0.76 EUR
1000+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH