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Technische Details NVMFS5C677NLT1G onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 166A; 18W; DFN5, Kind of package: reel; tape, Case: DFN5, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 9.7nC, On-state resistance: 15mΩ, Power dissipation: 18W, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 36A, Pulsed drain current: 166A.
Weitere Produktangebote NVMFS5C677NLT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS5C677NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NVMFS5C677NLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/36A 5DFN |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVMFS5C677NLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/36A 5DFN |
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| NVMFS5C677NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 166A; 18W; DFN5 Kind of package: reel; tape Case: DFN5 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 9.7nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 18W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 166A |
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