| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.32 EUR |
| 10+ | 1.55 EUR |
| 100+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 1500+ | 0.79 EUR |
| 3000+ | 0.73 EUR |
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Technische Details NVMFS5C680NLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 24W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm.
Weitere Produktangebote NVMFS5C680NLT1G nach Preis ab 0.87 EUR bis 4.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NVMFS5C680NLT1G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 24W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm |
auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFS5C680NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 24W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm |
auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C680NLT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.37 EUR |
| 149+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 0.87 EUR |
| NVMFS5C680NLT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Description: ONSEMI - NVMFS5C680NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 61+ | 4.09 EUR |
| 99+ | 2.37 EUR |
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| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 0.87 EUR |