| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.44 EUR |
| 10+ | 7.22 EUR |
| 100+ | 6.01 EUR |
| 500+ | 5.34 EUR |
| 1000+ | 4.77 EUR |
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Technische Details NVMFS6H800NLWFT1G onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 224A; Idm: 900A; 107W; DFNW5, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 224A, Power dissipation: 107W, Case: DFNW5, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.9mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 900A, Gate charge: 112nC.
Weitere Produktangebote NVMFS6H800NLWFT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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NVMFS6H800NLWFT1G | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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NVMFS6H800NLWFT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVMFS6H800NLWFT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 224A; Idm: 900A; 107W; DFNW5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 224A Power dissipation: 107W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 900A Gate charge: 112nC |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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NVMFS6H800NLWFT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 5-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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| NVMFS6H800NLWFT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
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| NVMFS6H800NLWFT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
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| NVMFS6H800NLWFT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 224A; Idm: 900A; 107W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 224A
Power dissipation: 107W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 112nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 224A; Idm: 900A; 107W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 224A
Power dissipation: 107W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 900A
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| NVMFS6H800NLWFT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 5-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 5-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
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